半導體曝光設備是半導體制造過程中用于在硅片上繪制電路圖案的設備。強大的紫外光透過光掩模，作為電路圖案的原型，電路圖案被轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的硅晶片上。近年來，一些設備使用波長為 13 nm 的激光（稱為 EUV）來微型化精細電路圖案。由于定位等要求高的精度，因此設備價格昂貴。

半導體曝光設備的應用

半導體曝光設備用于包含MOS（金屬氧化物半導體）和FET（場效應晶體管）等半導體元件的IC（集成電路）制造過程中的曝光工序。

在IC制造過程中，在硅晶片上依次重復光刻和蝕刻循環(huán)，并且在將氧化硅、金屬等層層壓并加工成預定圖案的過程中，半導體元件所需的特性被加工為執(zhí)行得如此，它已經(jīng) .例如，在n型MOS(NMOS)的情況下，在p型硅基板的柵極區(qū)域上形成氧化硅膜和柵極金屬，并且將高濃度的雜質(zhì)離子注入到漏極和源極中。這形成了n型（n+型）MOS。這一系列工序中的光刻工序和蝕刻工序如圖所示地構(gòu)成(成膜工序S1～抗蝕劑剝離工序S6)。